①   光耦的輸入端導致失效

光耦的輸入端多為砷化鎵LED，因此光耦的輸入端失效模式及原因與常規(guī)LED失效模式及原因相似。LED的主要失效模式包括漏電、短路以及開路。其中，造成漏電或失效的主要原因包括：靜電擊穿、過電應(yīng)力，以及芯片表面存在導電物質(zhì)等；引起開路的常見失效原因包括鍵合不良、EOS導致鍵合絲燒斷、芯片銀漿粘接不良等。

②  光耦的輸出芯片導致失效

光耦的輸出芯片常見失效模式包括開路或阻值增大，以及阻值減小。導致阻值增大的可能原因包括：EOS燒毀導致鍵合絲或金屬化燒斷，鍵合不良，芯片表面離子玷污或有機膠中含氯離子導致鍵合點或鋁布線腐蝕脫開；導致阻值減小的可能原因包括：EOS燒毀，芯片粘接銀漿污染芯片表面等。

③  輸入端與輸出端之間傳輸導致失效

輸出端與輸出端傳輸失效現(xiàn)象包括：CTR降低、輸入端無信號時異常導通、不導通、輸出電壓漂移。其中，常見失效機理包括：輸出端芯片ESD損傷、輸出端芯片EOS燒毀、鍵合不良，輸入端二極管發(fā)光效率降低，反射膠和導電膠開裂分層等。

鑒于光耦的工作原理、參數(shù)、封裝結(jié)構(gòu)與通常的半導體器件存在差別，一方面，使用不當會導致LED、輸出芯片常見的失效原因ESD、EOS、鍵合失效之外，還具有與普通半導體器件不一樣的失效模式與機理。光耦內(nèi)部由于發(fā)光二極管與接收芯片之間存在導光膠，當導光膠開裂、分層時，將會導致光路傳輸不暢，使光耦的CTR偏離正常值，可能出現(xiàn)不穩(wěn)定失效；當導光膠存在腐蝕性離子時，腐蝕性離子如氯離子可能導致器件表面產(chǎn)生腐蝕，導致器件內(nèi)部產(chǎn)生開路、或發(fā)生漏電情況。